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SEMIKRON西門康IGBT模塊SEMIX604GB12T4PV6系列產(chǎn)品資料

更新時間:2024-07-02      點擊次數(shù):145

SEMIKRON西門康IGBT模塊SEMIX604GB12T4PV6系列產(chǎn)品資料

SEMIKRON西門康IGBT模塊SEMIX604GB12T4PV6原廠

上海譜閔工業(yè)自動化設備有限公司專業(yè)歐美進口備件銷售,公司德國和美國有自己的辦事處,廠家直接采購,一手貨源,價格在市場上更具優(yōu)勢。

SEMIKRON西門康IGBT模塊的原理:

IGBT的結構復雜,但其工作原理卻比較簡單。IGBT由PNP型雙極晶體管和N型金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET組成,并在兩者之間加入了隔離層,以實現(xiàn)雙極晶體管和MOSFET的有機結合。IGBT的主要工作原理如下:

當IGBT的柵極施加正向電壓時,會形成一個N型導通區(qū),從而允許集電極和發(fā)射極之間的電流通過。

反之,當柵極施加反向電壓時,則不允許電流通過。

IGBT相當于一個由MOsFET驅動的厚基區(qū)GTR,其等效電路及圖形符號如圖2.17所示。可見,IGBT是以MOsFET為驅動元件,GTR為主導元件的達林頓結構器件。圖中的電阻RN是厚基區(qū)GTR內(nèi)的調(diào)制電阻,Rs是體區(qū)電阻。圖中器件的MOsFET為N溝道型,稱為N溝道IGBT。相應的還有P溝道IGBT,其圖形符號僅將箭頭反向即可。

IGBT的驅動原理與電力MOsFET基本相同,它是一種場控器件。其開通和關斷是由柵極和發(fā)射極間的電壓%E控制的,當已憶E為正且大于開啟電壓聽時,MOsFET內(nèi)形成導電溝道,其漏源電流作為內(nèi)部GTR的基極電流,從而使IGBT導通。此時從/注入M區(qū)的空穴對N^區(qū)進行電導調(diào)制,減小了M區(qū)的電阻RN,使IGBT獲得低導通壓降。當柵極與發(fā)射極間不加信號或施加反向電壓時,MOSFET內(nèi)的導電溝道消失,GTR的基極電流被切斷,IGBT隨即關斷。

在IGBT的工作過程中,當控制信號施加到柵極時,將會引起PNP晶體管的導通。在這種情況下,集電極和發(fā)射極之間的電流可通過,在控制信號撤回后,IGBT會自動關閉,此時不會通過任何電流。

SEMIKRON西門康IGBT模塊的特點:

IGBT的作用和功能

IGBT擁有多種特性,其主要作用和功能如下:

(1) 控制電流

IGBT具有單向導通特性,可控制電路的開關狀態(tài)。當IGBT的柵極施加正向電壓時,允許電流通過;反之,則不允許電流通過。這使得IGBT可以很好地控制電流大小和方向。

(2) 降低功率損耗

由于IGBT的導通電阻比雙極晶體管低,開關速度又比MOSFET快,因此,IGBT具有較低的導通損耗和開關損耗。這使得IGBT成為高效、低損耗的功率半導體器件。

(3) 承載大電流

IGBT的承載電流能力較強,可達300A以上。同時,IGBT具有良好的熱穩(wěn)定性和抗擊穿能力,可以在高溫和高電壓環(huán)境下工作,保證設備的安全運行。

(4) 廣泛應用

IGBT廣泛應用于各種電力電子設備中,如變頻器、交流調(diào)速電機、UPS電源等。其穩(wěn)定性和高效性的特點被廣泛認可,并得到了市場的追捧。

IGBT是一種重要的功率半導體器件,具有控制電流、降低功率損耗、承載大電流等多種特點。其廣泛應用于各種電力電子設備中,為產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和進步做出了重要貢獻。

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傳感器WK177L115 

電磁閥VP-01217 IEA07/1RS

ST5484E-151-04B4-00 

MX2030-04-000-070-05-05  

MX2030-03-000-080-05-05 

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MX2030-04-000-130-05-05 

MX2030-06-005-030-05-05  

10008-00-07-05-02   

電磁閥_WSNF8327B012    

34B-ABA-GDFA-1KA  

滑塊R165341420   

氣控閥\VFA5120-03

氣控閥\VFA3190-X28

流量開關\FF-015RMS-125

流量開關\MF2-020JA-416303

CH-7302  114 951/115 391  帶觸板

PRESSTON油缸連接頭3829-180   

PRESSTON油缸連接頭3829-230    

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