Infineon英飛凌IGBT模塊FF600R12ME4產(chǎn)品原廠到貨

Infineon英飛凌IGBT模塊FF600R12ME4優(yōu)質(zhì)優(yōu)價

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Infineon英飛凌IGBT模塊的原理：

IGBT的結(jié)構(gòu)復雜，但其工作原理卻比較簡單。IGBT由PNP型雙極晶體管和N型金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET組成，并在兩者之間加入了隔離層，以實現(xiàn)雙極晶體管和MOSFET的有機結(jié)合。IGBT的主要工作原理如下：

當IGBT的柵極施加正向電壓時，會形成一個N型導通區(qū)，從而允許集電極和發(fā)射極之間的電流通過。

反之，當柵極施加反向電壓時，則不允許電流通過。

IGBT相當于一個由MOsFET驅(qū)動的厚基區(qū)GTR,其等效電路及圖形符號如圖2.17所示?？梢?IGBT是以MOsFET為驅(qū)動元件,GTR為主導元件的達林頓結(jié)構(gòu)器件。圖中的電阻RN是厚基區(qū)GTR內(nèi)的調(diào)制電阻,Rs是體區(qū)電阻。圖中器件的MOsFET為N溝道型,稱為N溝道IGBT。相應的還有P溝道IGBT,其圖形符號僅將箭頭反向即可。

IGBT的驅(qū)動原理與電力MOsFET基本相同,它是一種場控器件。其開通和關(guān)斷是由柵極和發(fā)射極間的電壓%E控制的,當已憶E為正且大于開啟電壓聽時,MOsFET內(nèi)形成導電溝道,其漏源電流作為內(nèi)部GTR的基極電流,從而使IGBT導通。此時從/注入M區(qū)的空穴對N^區(qū)進行電導調(diào)制,減小了M區(qū)的電阻RN,使IGBT獲得低導通壓降。當柵極與發(fā)射極間不加信號或施加反向電壓時,MOSFET內(nèi)的導電溝道消失,GTR的基極電流被切斷,IGBT隨即關(guān)斷。

在IGBT的工作過程中，當控制信號施加到柵極時，將會引起PNP晶體管的導通。在這種情況下，集電極和發(fā)射極之間的電流可通過，在控制信號撤回后，IGBT會自動關(guān)閉，此時不會通過任何電流。

Infineon英飛凌IGBT模塊的特點：

IGBT的作用和功能

IGBT擁有多種特性，其主要作用和功能如下：

(1) 控制電流

IGBT具有單向?qū)ㄌ匦?，可控制電路的開關(guān)狀態(tài)。當IGBT的柵極施加正向電壓時，允許電流通過；反之，則不允許電流通過。這使得IGBT可以很好地控制電流大小和方向。

(2) 降低功率損耗

由于IGBT的導通電阻比雙極晶體管低，開關(guān)速度又比MOSFET快，因此，IGBT具有較低的導通損耗和開關(guān)損耗。這使得IGBT成為高效、低損耗的功率半導體器件。

(3) 承載大電流

IGBT的承載電流能力較強，可達300A以上。同時，IGBT具有良好的熱穩(wěn)定性和抗擊穿能力，可以在高溫和高電壓環(huán)境下工作，保證設(shè)備的安全運行。

(4) 廣泛應用

IGBT廣泛應用于各種電力電子設(shè)備中，如變頻器、交流調(diào)速電機、UPS電源等。其穩(wěn)定性和高效性的特點被廣泛認可，并得到了市場的追捧。

IGBT是一種重要的功率半導體器件，具有控制電流、降低功率損耗、承載大電流等多種特點。其廣泛應用于各種電力電子設(shè)備中，為產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和進步做出了重要貢獻。

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